GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-02 19:11:18 浏览:9563
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基本信息
| 标准名称： | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 |
| 英文名称： | Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 替代情况： | 替代GB/T 14847-1993 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2011-01-10 |
| 实施日期： | 2011-10-01 |
| 首发日期： | 1993-12-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： | 宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心 |
| 起草人： | 李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2011-10-01 |
| 页数： | 12页 |
| 书号： | 155066·1-42666 |
适用范围
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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